吕辰看着那张示意图，沉默了几秒。

设计规则问题。

这就是说，不是工艺不行，是版图画得不够好。

有救。

吕辰站起来，“用显微镜看。”

吕辰把一块短路的芯片放在载物台上，调好焦距，眼睛凑到目镜上。

视野里，是密密麻麻的金属走线，横平竖直，整整齐齐。

他沿着电源总线，一点一点地看。

从芯片的左边，看到右边。从上边，看到下边。从电源引脚，看到地引脚。

没有。

没有发现明显的“毛刺”或“凸起”。

那些不该连的线，并没有连上。

“怪了。”他直起腰，揉了揉眼睛，“看不出问题。”

诸葛彪凑上去看，也看了半天，同样摇摇头：“确实没有明显的短路点。”

钱兰想了想：“会不会是过刻蚀？”

“过刻蚀？”吕辰看着她。

“对。”钱兰说，“光刻的时候，曝光时间太长，或者显影时间太长，该留下的线条被刻掉了，不该留下的线条反而留下了。但那个‘不该留下的线条’，可能细得肉眼看不见。”

吕辰点点头：“那就不是显微镜能看出来的了。”

他沉默了几秒，然后说：“但有一个规律，所有短路的芯片，形态都一样，都集中在寄存器堆。这说明不是随机缺陷，是设计规则问题。”

诸葛彪懂了：“你是说，那两条线的间距，在理论上是够的，但实际工艺有偏差。只要稍微有点过刻蚀，就会连上？”

“对。”吕辰说，“这是版图的问题，不是工艺的问题。”

钱兰在笔记本上记下来：“建议检查寄存器堆区域的版图，看看有没有间距刚好卡在设计规则下限的地方。”

吕辰点点头。

短路的问题，暂时查到这里。

接下来，是击穿。

击穿比短路更可怕。

因为它意味着材料本身被破坏了。

电流太大，电压太高，把芯片内部的晶体管烧坏了。

就像雷劈过一样，留下一个焦黑的坑。

“这个难查。”诸葛彪说，“击穿点在芯片内部，用显微镜看不见。”

吕辰想了想：“那就剥开来看看。”

“剥开？”

“破坏性物理分析。”吕辰说，“用发烟硝酸煮开封装，把芯片露出来。然后用层剥法，一层一层腐蚀掉钝化层、金属层。每剥一层，就用显微镜看一次。”

钱兰吸了一口冷气：“那不是把芯片毁了？”

“反正已经击穿了，留着也没用。”吕辰说，“与其扔掉，不如看看里面到底发生了什么。”

诸葛彪点点头：“有道理。找到那个击穿点，就能知道是工艺问题还是设计问题。”

他顿了顿，又说：“但咱们这儿没有发烟硝酸，也没有层剥的设备。要做这个，得去真空所。”

“对。”吕辰点头，“正好利用他们的扫描电镜验证机，虽然分辨率还不够高，但看击穿点应该够了。而且他们有化学腐蚀的设备，专门做材料分析的。”

说做就做，三人把芯片装回箱子。

一路顶风冒雪，两个小时后，来到了真空所。

报过门卫登记，顾赟把三人带到电镜实验室，文昭南教授听说三人的来意，立即让刘建军和李敏华开始准备。

不一会儿，刘建军端着一个棕色的玻璃瓶过来，发烟硝酸就装在瓶里，瓶口冒着淡淡的黄烟。

李敏华戴上橡胶手套，按照吕辰的要求，把一块击穿的芯片放进一个特制的烧杯里，倒上发烟硝酸。

烧杯下面点着酒精灯，加热。

硝酸沸腾起来，冒着黄色的烟雾，刺鼻的气味弥漫在整个房间里。

十几分钟后，黑色的环氧树脂封装开始软化，脱落，露出里面银灰色的晶圆。

她用镊子把晶圆夹出来，放在电镜的物镜台下。

文昭南教授亲自操作，电子枪启动，一番调试后。

“成了！”

吕辰三人凑过去观看。

“有坑。”

显微镜下，晶圆表面确实有一个微小的熔坑，像被雷劈过的小坑，周围还有一圈烧焦的痕迹。

“坐标。”钱兰掏出一张版图。

诸葛彪用刻度尺，读出熔坑的坐标。

钱兰在版图上找到那个位置。

“是晶体管的栅氧化层。”她说。

三个人对视一眼。

又是集中在同一个区域。

李敏华又煮了几块击穿的芯片。

结果都一样，熔坑都在栅氧化层上，位置略有差异，但都在晶体管区域。

“不是测试问题。”他说，“如果是静电打坏的，熔坑应该随机分布，不会都集中在栅氧化层。”

钱兰点点头：“也不是工艺问题？如果是工艺问题，那应该是随机缺陷，不会每一块都打在栅氧化层上。”

吕辰想了想：“那就是设计问题。那个区域的晶体管，尺寸太小了。”

他指着版图上的某个位置：“你看，这里的晶体管，栅长和栅宽都是设计规则允许的最小值。如果工艺有波动，实际做出来的晶体管比设计的还小，电场强度就会增大，超过材料的击穿阈值。”

小主，

诸葛彪点点头：“有道理。栅氧化层就那么薄，电压一高，就打穿了。”

“得改版图。”钱兰在笔记本上记下来，“加大晶体管的尺寸，留出足够的余量。”